Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
http://ri2.bib.udo.edu.ve:8080/jspui/handle/123456789/3049
Titre: | Fabricación y Caracterización de Silicio Poroso |
Auteur(s): | Ramirez A., José R. |
Mots-clés: | semiconductores poroso silicio |
Date de publication: | 9-aoû-2010 |
Editeur: | Universidad de Oriente Núcleo de Sucre. |
Résumé: | Se fabricó silicio poroso (SP) mediante el ataque electroquímico a las obleas de silicio cristalino tipo n con una solución de acido fluorhídrico (HF) en una celda electroquímica apropiada. Para ello se prepararon las obleas mediante una limpieza química, metalización de la parte posterior con aluminio térmicamente evaporado y posterior corte en cuartos. Para fijar el área de formación del SP se utilizo un proceso litográfico aplicando un material fotosensible a las obleas, exponiéndose luego a luz ultravioleta y revelándose con una solución de NaOH al 1%. En vista a que el HF ataco a la foto-resina durante la formación de los poros, se cubrieron completamente los cuartos de obleas con un material epoxy no conductor. Una vez formado el silicio poroso se realizo un análisis estructural por microscopia electrónica de barrido. |
URI/URL: | http://ri2.bib.udo.edu.ve:8080/jspui/handle/123456789/3049 |
Collection(s) : | Licenciatura en Física.sc |
Fichier(s) constituant ce document :
Fichier | Description | Taille | Format | |
---|---|---|---|---|
TESIS_JRA.pdf | 3,76 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.
Outils d'administration