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Título : Estudio de la Unión N-N+ en Silicio Tipo N Compensado con Oro
Autor : Carvajal V., Robert A.
Palabras clave : semiconductores
unión n-n+
silicio
Fecha de publicación : 9-ago-2010
Editorial : Universidad de Oriente Núcleo de Sucre.
Resumen : En el presente trabajo se determinó la concentración de oro (NAu) en el sustrato de silicio tipo n compensado con oro de los dispositivos de doble inyección p+-n-n+ y n+-n-n+, por medio de las curvas de corriente y capacitancia en función del voltaje construidas a partir de datos experimentales, de los cuales resultó que NAu = 5,9x1016cm-3, lo que supera significativamente a la concentración de donadores en el sustrato (5,0x1014cm-3). Además se realizó el estudio de las curvas antes mencionadas, de las que se determinó que la unión n-n+ en estos dispositivos, tiene un comportamiento rectificador, debido a que el sustrato tipo n cambia sus propiedades a tipo p.
URI : http://ri2.bib.udo.edu.ve:8080/jspui/handle/123456789/3058
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